近日，俄羅斯、法國、瑞典和希臘科學家合作開發(fā)出一種工業(yè)技術來提純石墨烯，新方法讓石墨烯更穩(wěn)定，即使接觸臭氧10分鐘之久也“毫發(fā)無傷”。研究人員表示，該成果是納米電子學技術領域的一項重要進步，將大力促進該領域的發(fā)展。
　　

　　石墨烯是一種比頭發(fā)絲細100萬倍的材料，由排列成蜂巢結構的單層碳原子組成，具有超高的導電性、耐用性和延展性，可用于制造多種納米電子學設備。在生產過程中，聚合物涂層殘渣會“污染”石墨烯，降低其內部載荷子的流動性。熱退火、等離子去膠以及化學溶劑等方法能去除聚合物殘留，但同時會削弱石墨烯的純度。其中，最常用的一種提純方法是使用臭氧，這一方法雖然反應性很高，但臭氧在破壞聚合物殘余的同時，會在石墨烯內造成缺陷，導致其性能弱化。
　　

　　鑒于此，俄羅斯國立核能研究大學莫斯科工程物理學院(MEPhI)的科學家使用高溫碳化硅(SiC)的升華物，成功得到了擁有高度穩(wěn)定性的石墨烯，這種石墨烯與臭氧接觸超過10分鐘性能不變；而普通石墨烯在同樣的環(huán)境下3-4分鐘就會性能受損。
　　

　　為了進一步核查試驗結果，希臘、法國和瑞典的科學家，通過計算機建模厘清了為何碳化硅—石墨烯在暴烈的氧自由基的作用下仍能“毫發(fā)無傷”，且更加穩(wěn)定：新石墨烯非比尋常的穩(wěn)定性顯然與碳化硅基座上外延石墨烯的粗糙度較低有關。